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CMP 蝕刻在國立交通大學機構典藏:CMP拋光參數之研究與探討的討論與評價

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CMP 蝕刻在半導體化學機械研磨製程參數與研磨頭所產生之機械扭力影響研究的討論與評價

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CMP 蝕刻在CMP化學機械研磨| 5大關鍵指標判斷CMP表現 - 理財新手福利社的討論與評價

CMP (chemical mechanical polish) 化學機械研磨是半導體製程中非常 ... 研磨參數、slurry 成份、研磨墊(CMP pad) 、鑽石碟(Disk) 設計等皆會影響RR.

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    CMP 蝕刻在探討化學機械研磨之最適化製程參數的討論與評價

    Chiu 等[7]和Lin 等[8]以CMP 製程有. 限元素模擬結果為資料庫,透過倒傳類神經網路和direct search complex optimal method 得到最適的製程參數。

    CMP 蝕刻在化學機械研磨製程機上量測技術的討論與評價

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    CMP 蝕刻在化學機械研磨之面向上機台雙轉速研磨設計與參數最佳化的討論與評價

    關鍵字: 化學機械研磨;最佳化;optimization;CMP;chemical mechanical polish. 公開日期: 2004. 摘要: 論文摘要隨著半導體原件尺寸的日益縮小,在0.25um的製程下,CMP已 ...

    CMP 蝕刻在應用類神經網路與SECS以建構化學研磨參數預測模型的討論與評價

    摘要. 化學機械研磨CMP (Chemical Mechanical Polishing) 成為近年來半導體製造之平坦化製程中的重要步驟,研磨設備對於研磨精密程度與研磨參數的精準控制也日益關鍵。

    CMP 蝕刻在第一章緒論 - CHUR的討論與評價

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